扩散炉应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、

合金及烧结等工艺，可用于2-8英寸工艺尺寸。

主要技术指标

◆ 晶圆尺寸:2~8英寸

◆ 工艺管数:1~5管/台

◆ 工作温度范围:400~1286℃

◆ 恒温区长度:300~1500mm

◆ 单点温度稳定性:±0.5℃/24h

◆ 最大可控升温速度:15℃/min

◆ 最大降温速度:5℃/min

★ 可为用户量身定制非标准产品

控制系统特点

◆ 工艺曲线的自动运行控制功能

◆ 可存储多组PID参数供系统运行调用功能

◆ 系统故障自诊功能

◆ 停电后断点继续运行功能等等

◆ 具有自主知识产权的软件系统,良好的人机界面

◆ 具有多点温度补偿

◆ 具有多种故障报警及各种安全互锁保护功能

★ 支持SECS/GEM通讯

★ 该系统可根据用户的特殊要求增减或开发相应的功能