LPCVD用于淀积Poy-Sⅰ、SIPOS、SiO2(LTO TEOS)、P+ Poy-Sⅰ、B+ Poy-Sⅰ、Si3N4等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、
电力电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。
主要技术指标
◆ 适用硅片尺寸:4~6"
◆ 工作温度范围:350~800℃C
◆ 恒温长度:300-1100mm(可定制)
◆ 系统极限真空度:0.8Pa
◆ 工作压力范围:30Pa~200Pa可调
工艺类型
◆ Poy-Sⅰ
◆ B+ Poy-Sⅰ
◆ SIPOS
◆ P+ Poy-Sⅰ
◆ SiO2(LTO TEOS)
◆ Si3N4
◆ 工艺均匀性:
片内<±2%
片间<±2%
批间<±2%
设备主要特点
◆ 采用先进的闭环控制系统,压力稳定无波动
◆ 高精度温控系统
◆ 工艺薄膜均匀性优异
★ 支持SECS/GEM通讯