LPCVD用于淀积Poy-Sⅰ、SIPOS、SiO2（LTO TEOS）、P+ Poy-Sⅰ、B+ Poy-Sⅰ、Si3N4等多种薄膜。广泛应用于半导体集成电路、

电力电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。

主要技术指标

◆ 适用硅片尺寸:4~6"

◆ 工作温度范围:350~800℃C

◆ 恒温长度:300-1100mm(可定制)

◆ 系统极限真空度:0.8Pa

◆ 工作压力范围:30Pa~200Pa可调

工艺类型

◆ Poy-Sⅰ                       

◆ B+ Poy-Sⅰ

◆ SIPOS                          

◆ P+ Poy-Sⅰ

◆ SiO2（LTO TEOS）   

◆ Si3N4

◆ 工艺均匀性: 

    片内<±2%

    片间<±2%

    批间<±2%

设备主要特点

◆ 采用先进的闭环控制系统，压力稳定无波动

◆ 高精度温控系统

◆ 工艺薄膜均匀性优异

★ 支持SECS/GEM通讯